安森(sēn)德N溝道(dào)MOS ASDM100R066NQ用(yòng)于5G小(xiǎo)基站(zhàn)

5G小(xiǎo)基站(zhàn)是(shì)實現(xiàn)5G網絡覆蓋的(de)關鍵組成部分(f♦ēn)，一(yī)般應用(yòng)在流量需求大(dà)的(de)熱(rè)點區(qū)域，如(rú)大(dà)型商場•(chǎng)等。目前各運營商都(dōu)在進行(xíng)5G基礎設施，未來(lái)将實現(xiàn)5G網絡環境的(de)覆蓋，極大(dà)地(dì)改善©人(rén)們的(de)使用(yòng)體(tǐ)驗。

5G小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中，當然也(yě)離(lí)不(bù)開(kāi)傳統的(de)功率器(qì)件(jiàn)的(de)需求，例如(rú)大(dà)電(diàn₩)流的(de)MOS管等。本文(wén)推薦安森(sēn)德的(de)N溝道(dào)MOS ASDM100R066NQ，應用(yòng)在小(xi♣ǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中，耐壓可(kě)以達到(dào)100V，導通(tōng)電(diàn)流達到(dào)68A。

ASDM100R066NQ用(yòng)在5G小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中有(yǒu)以下(xià)特點：

1、導通(tōng)電(diàn)阻5.9mΩ，采用(yòng)了(le)先進的(de)溝槽技(jì)術(shù)和(hé)設計​(jì)，能(néng)夠提供非常低(dī)的(de)導通(tōng)電(diàn)阻，有(yǒu)利于産品整體(tǐ)設計(jì)。

2、漏極飽和(hé)電(diàn)流為(wèi)68A，最大(dà)脈沖電(diàn)流可(kě)以達到(dào)140A，可(kě)以滿足大(dà)電(diàn)流應用(yòng)的(de)設♣計(jì)。

3、零栅壓漏極電(diàn)流為(wèi)1μA，有(yǒu)利于産品低(dī)功耗的(de)設計(jì)。₩

4、耗散功率最大(dà)為(wèi)108W。

5、工(gōng)作(zuò)結溫和(hé)存儲溫度範圍為(wèi)-55℃至155℃，可(kě)以滿足小(xiφǎo)基站(zhàn)設計(jì)的(de)環境要(yào)求

6、采用(yòng)DFN5X6-8的(de)封裝，散熱(rè)性能(néng)好(hǎo)，占用(yòng)空(kōng)間(jiān)小(xiǎo)。

總的(de)來(lái)說(shuō)，安森(sēn)德ASDM100R066NQ應用(yòng)穩定，具有(yǒu)高(gāo)功率密度、輸出線性好(hǎo)、能(nén¶g)效高(gāo)、溫升低(dī)等優勢，不(bù)僅能(néng)夠從(cóng)參數(shù)各方面适用(yòng)于5G小(xiǎo)基站(zhàn)，而且↕在使用(yòng)方面還(hái)能(néng)完美(měi)替代ST的(de)STB100N10F7場(chǎng)效應管。